表面分析法の種類




表面分析の手法は以下のような物があります。(略称のアルファベット順)

Aオージェ電子回折(Auger Electron Diffraction:AED)
オージェ電子分光法(Auger Electron Spectroscopy:AES)
原子間力顕微鏡(Atom Force Microscopy:AFM)
アトムプローブ電界イオン顕微鏡法(Atom Probe Field Ion Microscopy:AP-FIM)
角度分解型X線光電子分光法(Angle Resolved X-ray Photoelectron(Photoemission) Spectroscopy:AR-UPS)
角度分解型X線光電子分光法(Angle Resolved X-ray Photoelectron(Photoemission)Spectroscopy:AR-XPS)
走査オージェ電子顕微鏡(Scanning Auger Microscopy:ASM)
全反射型赤外吸収法(Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy:ATR-IR)
B制動放射等色スペクトル法(Bremsstrahlung Isochromat Spectroscopy:BIS)
光子放出分光法(Bremsstrahlung Spectroscopy:BS)
C ・同軸型直衝突イオン散乱分光法(Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy:CICISS)
電流像トンネル分光(Current Imaging Tunneling Spectroscopy:CITS)
接触電位差法、ケルビン・プローブ法(Contact Potential Difference:CPD)
E ・広領域電子エネルギー損失微細構造(Extended Electron Energy Loss Fine Structure:EEELFS)
電子エネルギー損失分光法(Electron Energy-Loss Spectroscopy:EELS)
偏光解析法(Ellipsometry:ELL)
電子プローブマイクロアナリシス(Electron Probe Micro Analysis:EPMA)
常磁性共鳴吸収(Electron Paramagnetic Resonance:EPR)
電子衝撃脱離法(Electron Stimulated(Impact,Induced) Desorption:ESD(EID))
・電子衝撃脱離イオン角度分布法(Electron Stimulated desorption ion angular Distributions:ESDIAD)
・電子衝撃分子脱離法(Electron Stimulated desorption of Neutrals:ESDN)
電子スピン共鳴(Electron Spin Resonance:ESR)
F電界電子顕微鏡法(Field Electron Microscopy:FEM)
電界放射顕微鏡法(Field Emission Microscopy:FEM)
電界放出走査電子顕微鏡(Field Emission Scanning Electron Microscopy:FESEM)
電界イオン顕微鏡法(Field Ion Microscopy:FIM)
H高エネルギーイオン散乱(High Energy Ion Scattering:HEIS)
高分解能電子エネルギー損失分光法(High-Resolution Electron Energy-Loss Spectroscopy:HREELS)
I ・直衝突イオン散乱分光法(Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy:ICISS)
・非弾性低速電子回折法(Inelastic Low-Energy Electron Diffraction:ILEED)
・イオン中和分光法(Ion Neutralization Spectroscopy:INS)
逆光電子分光法(Inverse PhotoEmission Spectroscopy:IPES)
反射型赤外吸収法(Infrared Reflective Absorption Spectroscopy:IRAS)
イオン散乱分光(Ion Scattering Spectroscopy:ISS)
L低速電子回折法(Low-Energy Electron Diffraction:LEED)
低速電子顕微鏡(Low Energy Electron Microscopy:LEEM)
低エネルギーイオン散乱(Low Energy Ion Scattering:LEIS)
・レーザマイクロプローブ質量分析(LAser Microprobe Mass Analysis:LAMMA)
M ・準安定原子脱励起分光法(Metastable-atom Deexcitation Spectroscopy:MDS)
中エネルギーイオン散乱(Medium Energy Ion Scattering:MEIS)
・磁気力顕微鏡(Magnetic Force Microscopy:MFM)
N ・近接場顕微鏡(Near-Field Optical Microscopy:NFOM)
核反応法(Nuclear Reaction Analysis:NRA)
核共鳴散乱分析法(Nuclear Resonant Scattering Analysis:NRSA)
P光電子分光法(PhotoEmission Spectroscopy:PES)
・ペニングイオン化分光法(Penning Ionization Electron Spectroscopy:PIES)
・粒子励起ガンマ線分光(Particle Induced GaMma Emission:PIGME)
・粒子励起X線分光(Particle Induced X-ray Emission:PIXE)
Rラザフォード後方散乱(Rutherford Back ScatteringSpectroscopy:RBS)
・反射電子顕微鏡(Reflection Electron Microscopy:REM)
共鳴多光子イオン化分光法(Resonace Enhanced Multi-Photoionization Spectroscopy:REMPI)
反射型高速電子回折法(Reflection High-Energy Electron Diffraction:RHEED)
共鳴核反応法(Resonance Nuclear Reaction Analysis:RNRA)
・減速電位差法(Retarding potential Difference:RPD)
S ・表面電子エネルギー損失微細構造(Surface Electron Energy Loss Fine Structure:SEELFS)
走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscopy:SEM)
・表面広域X線吸収微細構造(Surface Extended X-ray Absorption Fine Structure:SEXAFS)
二次イオン質量分析法(Seconderly Ion Mass Spectroscopy:SIMS)
(スパッタ二次)中性粒子質量分析法(Scattered Neutral Mass Spectroscopy:SNMS)
走査光電子顕微鏡(Scanning PhotoEmission Electron Microscopy:SPEEM)
・スピン偏極低速電子顕微鏡(Spin Polarized Low Energy Electron Microscopy:SP-LEEM)
走査プローブ顕微鏡(Scanning Probe Microscopy:SPM)
走査型トンネル電子顕微鏡(Scanning Tunnel-electron Microscopy:STM)
走査トンネル分光(Scanning Tunneling Spectroscopy:STS)
T透過電子回折(Transmission Electron Diffraction:TED)
透過電子顕微鏡(Transmission Electron Microscopy:TEM)
飛行時間質量分析法(Time Of Flight Mass Spectroscopy:TOF-MS)
昇温(熱)脱離質量分析法(Thermal Desorption Spectroscopy:TDS, Temperature Programed Spectroscopy:TPD)
全反射蛍光X線法(Total Reflection X-Ray Fluorescence:TRXRF)
U紫外線光電子分光法(Ultra-violet Photoelectron(Photoemission) Spectroscopy:UPS)
XX線マイクロアナリシス(X-ray Micro Analysis:XMA)
・軟X線励起電子回折(Soft X-ray Photoelectron Diffraction:XPD)
X線光電子分光法(X-ray Photoelectron(Photoemission) Spectroscopy:XPS)



● HPのTOPに戻る ● 表面化学のTOPに戻る


ご意見・ご感想