表面分析法の種類




表面分析の手法は以下のような物があります。(略称のアルファベット順)

A ・オージェ電子回折（Auger Electron Diffraction:AED）
・オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy:AES）
・原子間力顕微鏡（Atom Force Microscopy:AFM）
・アトムプローブ電界イオン顕微鏡法（Atom Probe Field Ion Microscopy:AP-FIM）
・角度分解型X線光電子分光法（Angle Resolved X-ray Photoelectron(Photoemission) Spectroscopy:AR-UPS）
・角度分解型X線光電子分光法（Angle Resolved X-ray Photoelectron(Photoemission)Spectroscopy:AR-XPS）
・走査オージェ電子顕微鏡（Scanning Auger Microscopy:ASM）
・全反射型赤外吸収法（Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy:ATR-IR）
B ・制動放射等色スペクトル法（Bremsstrahlung Isochromat Spectroscopy:BIS）
・光子放出分光法（Bremsstrahlung Spectroscopy:BS）
C ・同軸型直衝突イオン散乱分光法（Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy:CICISS）
・電流像トンネル分光（Current Imaging Tunneling Spectroscopy:CITS）
・接触電位差法、ケルビン・プローブ法（Contact Potential Difference:CPD）
E ・広領域電子エネルギー損失微細構造（Extended Electron Energy Loss Fine Structure:EEELFS）
・電子エネルギー損失分光法（Electron Energy-Loss Spectroscopy:EELS）
・偏光解析法（Ellipsometry:ELL）
・電子プローブマイクロアナリシス（Electron Probe Micro Analysis:EPMA）
・常磁性共鳴吸収（Electron Paramagnetic Resonance:EPR）
・電子衝撃脱離法（Electron Stimulated(Impact,Induced) Desorption:ESD(EID))
・電子衝撃脱離イオン角度分布法（Electron Stimulated desorption ion angular Distributions:ESDIAD）
・電子衝撃分子脱離法（Electron Stimulated desorption of Neutrals:ESDN）
・電子スピン共鳴（Electron Spin Resonance:ESR）
F ・電界電子顕微鏡法（Field Electron Microscopy:FEM）
・電界放射顕微鏡法（Field Emission Microscopy:FEM）
・電界放出走査電子顕微鏡（Field Emission Scanning Electron Microscopy:FESEM）
・電界イオン顕微鏡法（Field Ion Microscopy:FIM）
H ・高エネルギーイオン散乱（High Energy Ion Scattering:HEIS）
・高分解能電子エネルギー損失分光法（High-Resolution Electron Energy-Loss Spectroscopy:HREELS）
I ・直衝突イオン散乱分光法（Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy:ICISS）
・非弾性低速電子回折法（Inelastic Low-Energy Electron Diffraction:ILEED）
・イオン中和分光法（Ion Neutralization Spectroscopy:INS）
・逆光電子分光法（Inverse PhotoEmission Spectroscopy:IPES）
・反射型赤外吸収法（Infrared Reflective Absorption Spectroscopy:IRAS）
・イオン散乱分光（Ion Scattering Spectroscopy:ISS）
L ・低速電子回折法（Low-Energy Electron Diffraction:LEED）
・低速電子顕微鏡（Low Energy Electron Microscopy:LEEM）
・低エネルギーイオン散乱（Low Energy Ion Scattering:LEIS）
・レーザマイクロプローブ質量分析（LAser Microprobe Mass Analysis:LAMMA）
M ・準安定原子脱励起分光法（Metastable-atom Deexcitation Spectroscopy:MDS）
・中エネルギーイオン散乱（Medium Energy Ion Scattering:MEIS）
・磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscopy:MFM）
N ・近接場顕微鏡（Near-Field Optical Microscopy:NFOM）
・核反応法（Nuclear Reaction Analysis:NRA）
・核共鳴散乱分析法（Nuclear Resonant Scattering Analysis:NRSA）
P ・光電子分光法（PhotoEmission Spectroscopy:PES）
・ペニングイオン化分光法（Penning Ionization Electron Spectroscopy:PIES）
・粒子励起ガンマ線分光（Particle Induced GaMma Emission:PIGME）
・・粒子励起X線分光（Particle Induced X-ray Emission:PIXE）
R ・ラザフォード後方散乱（Rutherford Back ScatteringSpectroscopy:RBS）
・反射電子顕微鏡（Reflection Electron Microscopy:REM）
・共鳴多光子イオン化分光法（Resonace Enhanced Multi-Photoionization Spectroscopy:REMPI）
・反射型高速電子回折法（Reflection High-Energy Electron Diffraction:RHEED）
・共鳴核反応法（Resonance Nuclear Reaction Analysis:RNRA）
・減速電位差法（Retarding potential Difference:RPD）
S ・表面電子エネルギー損失微細構造（Surface Electron Energy Loss Fine Structure:SEELFS）
・走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscopy:SEM）
・表面広域X線吸収微細構造（Surface Extended X-ray Absorption Fine Structure:SEXAFS）
・二次イオン質量分析法（Seconderly Ion Mass Spectroscopy:SIMS)
・（スパッタ二次）中性粒子質量分析法（Scattered Neutral Mass Spectroscopy:SNMS）
・走査光電子顕微鏡（Scanning PhotoEmission Electron Microscopy:SPEEM）
・スピン偏極低速電子顕微鏡（Spin Polarized Low Energy Electron Microscopy:SP-LEEM）
・走査プローブ顕微鏡（Scanning Probe Microscopy:SPM）
・走査型トンネル電子顕微鏡（Scanning Tunnel-electron Microscopy:STM）
・走査トンネル分光（Scanning Tunneling Spectroscopy:STS）
T ・透過電子回折（Transmission Electron Diffraction:TED）
・透過電子顕微鏡（Transmission Electron Microscopy:TEM）
・飛行時間質量分析法（Time Of Flight Mass Spectroscopy:TOF-MS）
・昇温（熱）脱離質量分析法（Thermal Desorption Spectroscopy:TDS, Temperature Programed Spectroscopy:TPD）
・全反射蛍光X線法（Total Reflection X-Ray Fluorescence:TRXRF）
U ・紫外線光電子分光法（Ultra-violet Photoelectron(Photoemission) Spectroscopy:UPS）
X ・X線マイクロアナリシス（X-ray Micro Analysis:XMA）
・軟X線励起電子回折（Soft X-ray Photoelectron Diffraction:XPD）
・X線光電子分光法（X-ray Photoelectron(Photoemission) Spectroscopy:XPS）


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